Дещо про Intel TeraHertz
ТЕХНОЛОГІЇ
Юрко ПІДДУБНЯК
До 2005 року Intel почне випуск процесорів з елементами архітектури TeraHertz. Не секрет, що основними проблемами при розробці нових чіпів є їх значне перегрівання, складність збільшення кількості транзисторів в ядрі та підвищення при цьому тактової частоти.
Завдяки TeraHertz транзистори в ядрі зможуть вмикатися і вимикатися понад трильйон разів на секунду. Одним із компонентів цієї технології є так званий “тонкошаровий транзистор” (depleted substrate transistor), який є новим типом CMOS-пристрою, коли транзистор створюється в тонкому шарі кремнію у верхній частині вбудованого шару ізолятора.
Цей шар кремнію створює максимальний струм збудження в момент, коли транзистор увімкнений, дозволяючи транзистору вмикатися та вимикатися швидше. Коли транзистор вимкнений, небажане витікання струму меншає завдяки шару ізолятора. Intel вважає, що це дозволить тонкошаровому транзистору мати у 100 разів менший струм витікання, ніж у сучасних транзисторах, заснованих на технології “кремній на ізоляторі” (silicon-on-insulator).
Ще одним аспектом цієї технології є інтеграція контактів з низьким опором у верхівці кремнієвого шару, а також використання нового матеріалу замість двоокису кремнію в підкладці. Матеріал зараз називається high k gate dielectric, і повинен мати значно кращі технічні характеристики, ніж двоокис кремнію. Зокрема, Intel говорить про зменшення шлюзового витікання більш ніж у 10 тисяч разів порівняно з кремнієвим двоокисом. Матеріал цей з’являється завдяки технології осадження атомних шарів і може мати товщину шару в одну молекулу.
До речі, Intel обіцяла випустити до 2007 року чіпи з продуктивністю 20 ГГц, але якщо врахувати нинішню акселерацію, є досить велика імовірність того, що станеться це значно раніше.
|
|
